분야
docxDry etcher, FE-SEM, ICP, Si wafer 시료
다. 실험 과정
1) Cleaning, Oxidation, Photolithography 공정을 마친 wafer 시료를 준비한다.
2) 시료의 표면을 FESEM으로 찍은 후 표면의 감광제 모형인 마스크 패턴을 확인한다.
(식각 전 패턴 사이즈 측정)
3) ICP 장비의 반응 Chamber에 시료를 넣는다.
4) Chamber를 대기압 보다 낮은 진공(10 Torr 이하)으로 만든다.
5) Chamber에 Oxygen gas를 주입한다.
6) Chamber에 Plasma gas로 C F gas(화학적 반응 야기)와
Ar gas(물리적 반응 야기)를 주입한다.
7) 전원장치를 이용하여 300W의 전원을 공급한다.
8) 3가지 시료에 각각 3분, 5분, 7분 씩 에칭하는 과정을 반복한다.
9) FE-SEM을 이용하여 시료들의 SiO2 inspection을 측정하고 식각 전과 비교한다.
(식각 후 패턴 사이즈 측정)
