2. MRAM 기술
(1) 기본적인 구조 및 동작원리
MRAM(Magnetic RAM)은 플로피디스크나 하드 디스크와 같이 자기에 의해 데이터를 기억하는 메모리로서 스핀 의존 전기 전도에 의해 생기는 강자성 터널 자기저항 효과(Tunnel Magneto Resistance: TMR) 소자를 이용한 것이다.
TMR 소자는 그림 1과 같이 2개의 강자성층이 비
1. DRAM (Dynamic Random Acces Memory)
-동속호출 기억장치 또는 임의접근 기억장치라고도 한다. 컴퓨터의 기억장치로 많이 사용되는 메모리 반도체에는 랜덤 액세스 기억장치인 램(RAM)과 판독 전용 기억장치인 롬(ROM)이 있고, 램에는 일반적으로 동적 램인 디램과 정적 램인 에스램이 있다. 디램은 반도체 산업
FeRAM, 스핀트로닉스 소자등도 많은 연구가 진행 중이다. 이들 소자는 기존의 플래시 메모리에 비해 저전력 소모, 장기간 데이터를 유지할 수 있는 비휘발성이 월등히 뛰어나고, 쓰기/읽기 동작특성이 낮은 동작전압에서도 월등히 빠르며, 열악한 환경에서도 데이터를 안정적으로 보존할 수 있다. 또한 Gb
1. 다음 문제에 대하여 주요 내용을 ①, ②, ③, ④ 번호를 붙여서 4가지 이상 설명하고 관련된 그림이나 사진을 설명문 본문에 한 장씩만 덧붙인다(1번 과제 그림 총 3장). 단, 1번 과제 전체분량은 A4 용지 1페이지 이상 3페이지 이내이다. (15점)
(가) 슈퍼컴퓨터에 대하여 설명하라.
① 1 세대 슈퍼컴
세계 반도체 기업
1. 반도체의 정의
2. 메모리 반도체
3. 펩리스 반도체
4. 파운드리 반도체
5. 앞으로의 전망
1. 반도체의 정의
미래 산업의 쌀, 반도체(semiconductor)
반도체(semiconductor)는 도체와 부도체의 중간 정도의 전기전도율을 갖는 물질로 실온에서는 도체처럼 작용하나 매우 낮은 온도에서는 부도체