prove 종류
1. 수동(Passive) 프로브
현재의 대부분의 오실로스코프에서는 10:1의 프로브가 기본으로 사용되어지고 있으며 이는 10x 프로브는 부하 효과를 줄여주고 일반 목적으로 널리 사용되지만 이 부하 효과는 특히 주파수가 높아질수록 현저히 나타나므로 5KHz 이상의 신호 측정시는 10:1 프로브의 사
1. 기존 PLANT 내의 제어실에 새로운 CONTROL SYSTEM 을 설치하고 기존 CONTROL SYSTEM 과의 DATA COMMUNICATION을 하려고 한다. 이때 고려해야할 사항을 설명하시오. 또한, OSI (Open System Interconnection) 7 Layer 에 대해 설명하고 TCP/IP 4계층과 비교 및 적용되는 Protocol의 예를 드시오.
① 이기종간의 제어시스템간의 데이타
voltage.
the silicon dioxide layer thickness is reaching the limits of scaling.
The alternative way of increasing capacitance is to use an insulator with
a higher dielectric constant than silicon dioxide.
In such a scenario, a thicker gate layer might be used which can reduce the leakage current flowing through the structure as well as improving the gate dielectric reliability.
2.3 C-V graph
The measured MOS capacitance (called gate capacitance) varies with the applied gate voltage.
① Measurement of C-V characteristics
-Apply any DC bias, and superimpose a small (15 mV) ac signal
-Generally measured at 1 MHz (high frequency) or at variable frequencies between 1KHz to 1 MHz
-The dc bias VG is slowly varied to get quasi-continuous C-V characteristics
② C-V chara
effect
해결
SiO2에 비해 큰 유전상수
물리적 두께 증가
전자의 터널링 억제
Motivation
High Density
- More transistors onto a smaller chip
- Cost effective from more chips on the same wafer
High Performance
- Higher current drive
- Smaller capacitance
- Reduced gate delay
Low Voltage & Low Power
- Mobile system application