1. 서론
최근 반도체칩의 집적도는 무어의 법칙 (Moore's Law)를 넘어서 지난 26년간 용량은 3200배 정도로 증가했다. 다시 말해 고(高)메모리의 수요가 증가함에 따라 반도체 디바이스의 집적화가 요구되고 이른바 ‘나노 시대’가 도래하였다. 기존의 리소그래피(Lithography) 기술은 나노 사이즈의 패턴을
(4) Double patterning
The double patterning is divided into four parts, leading with wafer requirements and then two sets of lithographic requirements (Generic Pitch Splitting - Double Patterning Requirements Driven by MPU metal Half-Pitch and Generic Spacer Patterning Requirements - Driven by Flash). The lithography requirements are different for each process; the requirements for pitch splitti
Lithography
Types of Photolithography Processes
Photoresists 는 빛, 전자에 민감한 감광성의 중합체로서 positive 와 negative의 두 가지 타입으로 나눌 수 있다.
Positive: 마스크와 같은 형상을 새김
Negative: 마스크와 반대 형상을 새김
Stereo lithography (3차원 리소그라피)
가장 널리 쓰이는 형상 구현 기술
액
1.Photolithography
리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 현상까지를 레지스트 처리공정으로 하며, 에칭 공정과 분리해서 생각할 수도 있다. 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판에 의해 축소 투영 전
대학 물리학과 현대 광학 이라는 수업에서 제출했던
광학과 관련된 최근의 기술에 대한 레포트입니다
EUV Lithography와 관련 광학 기술에 대한 기사 및 발췌 형식으로
광학 기술과 관련 기술의 응용 원리 및 수식 등이 설명되어 있습니다.
많은 도움이 되시길 바랍니다.