EDS는 SEM을 구성하는 장비중 X-Ray를 Detect 하는 장비이다. SEM이나 TEM에서 시료에 가속된 전자로 인해 SE, BSE 및 X-Ray가 발생하는데, 이때 발생하는 X-Ray를 이용하여 시료의 화학성분과 양을 분석하는 장비가 EDS분석기이다. 시료에 조사된 전자가 X-선을 발생시키는 원리는 옆의 그림과 같다. 즉, 원자핵과 특
때 생기는 전자를 뜻한다. 고속이온이나 X선 등의 입사에 의해 생기는 전자도 Secondary Electron이라 하는 경우가 있다. Secondary Electron은 에너지가 비교적 낮고 표면형상에 대한 상세한 정보를 제공한다. 뿐만 아니라 검출기의 제작비용이 저렴하고 제어하기 쉽기 때문에 SEM의 기본 검출기로 사용되고 있다.
특징은 초점이 높은 심도를 이용해서 비교적 큰 표본을 입체적으로 관찰 할 수 있다는 것이다.
두 가지 전자현미경의 차이를 보면, TEM은 얇은 시편을 beam이 투과하여 관찰하므로 2차적인 또는 단면적인 구조를 나타내지만 SEM은 시료 위를 주사된 상을 관찰하므로 3차원적인 입체상을 관찰할 수 있다.
PLA란Differential Pumped Vacuum Zone System을 통한 시료실과 전자 광학계 사이의 압력 분리
PLA를 통해 입사전자빔을 통과시키고, Gas의 흐름을 제한한다.
시간경과에 따른 상태 변이 관찰 가능
응력, 압축, 변형, 크랙 증식, 흡착, 가열, 냉각, 융해, 결빙, 수화, 탈수, 승화
신호증폭
시료표면에서 방출되
se/ngl/A-WireBonding/ChapterA1.htm#A1.1
반도체공정으로 통해 만들어진 IC의 Die 혹은 Barechip은 사이즈가 너무 작아서 다른 회로들에 그대로 붙여 쓸수가 없다. 그래서 그것을 보통 패키징과정으로 통해 모양좋게 네모난 프라스틱에 담고 회로에 올라갈만한 외부단자(Lead Frame)로 뽑아내는데, 이러한 패키지 내부