4. Dopant Barrier <불순물 장벽>
- 산화층이 실리콘 표면에서 성장하면 불순물 물질이 wafer로 들어가는 곳에 창을 생성시키기
위해서 Mask 개방으로 SiO2를 식각, 이때 산화물은 dopant의 확산으로부터
silicon의 표면을 보호.
- 선택적인 dopant의 도핑가능
5. 금속층 사이의 유전체
Gallium Scan
검사목적
- 갈륨은 염증, 감염, 화농, 양·악성 종양에 흡착되는 핵 원소로 방사성 갈륨을 정맥투여 후 24, 48, 72시간 후에 전신스캔 하는 것이다. 이 검사는 다른 진단검사에 의해 감지되지 않는, 암이 의심되는 환자에게 적용될 수 있다. Bone scan과 유사하지만 골질환에서 좀 더 유용하다.
검
gallium arsenide) 나 인듐인(InP;indium phospide) 등이 있다.
순수한 반도체는 14족 원소로 이루어져 모든 전자가 공유결합을 이룬다. 여기에 15족 원소를 첨가하면 잉여전자가 발생하여 n형 반도체가 되며 13족 원소를 첨가하면 반대로 전자가 부족하게 되어 정공으로 이루어진 p형 반도체가 된다. n형 반도체와
gallium arsenide wafer등의 기판에서 감광층을 선택적으로 노출시키기 위해 사용된다.
Wafer는 positive photoresist으로 개발되고, 노출된 부분은 화학적 과정으로 제거된다.
wafer 표면에 남겨진 모양은 노출에 의해 덮혀져 있던 부분이다.
TEM exposure
웨이퍼의 through hole은 TEM(투과전자현미경)에 의해 닫힐
are many III-V and II-VI compound semiconductors with high bandgaps. The only high bandgap materials in…
group IV are diamond and silicon carbide (SiC).
Aluminium nitride (AlN) can be used to fabricate ultraviolet LEDs with wavelengths down to 200-250 nm.
Gallium nitride (GaN) is used to make blue LEDs and lasers.
Boron nitride (BN) is used in Cubic boron nitride.