High-K material의 필요성
Thin SiO2의 문제점
게이트 유전막을 통한 boron penetration
20Å 미만의 두께에서
leakage current 발생
poly-si depletion effect
해결
SiO2에 비해 큰 유전상수
물리적 두께 증가
전자의 터널링 억제
Motivation
High Density
- More transistors onto a smaller chip
- Cost effective from
What is High-k ?
고유전율의 재료로써
반도체의 Gate나 Capacitor를 만들 때 사용하는 신소재
Ex) HfO2, ZrO2
High-κ물질은 말 그대로 고 유전율을 가지고 있는 물질이므로 SiO2보다 높은 비율로 집적 시켜도 Tunneling 현상이 일어나지 않아 선택하게 되었다.
반도체 회로의 미세화에 따라 크로스토크(Cross Talk)와
From an electrical standpoint, the MOS structure is equivalent to a parallel plate capacitor. When a voltage is applied between the gate and source terminals, the resulting electric field penetrates through the oxide, creating a so-called "inversion channel" within the channel underneath. The inversion channel is of the same type — P-type or N-type — as the source and drain of the tra
4. Equipment
4.1 RCA cleaning
RCA cleaning is a series of rinsing procedure prior to experiment with Si wafer. The purpose of the RCA clean is to remove organic contaminants (such as dust particles, grease or silica gel) from the wafer surface. There are three steps to be performed. The first step is to remove organic contaminant from surface of wafer. Second step is to remove any oxide layer
✶ 광 CVD :
광 CVD는 박막을 형성시킬 때 열에너지뿐만 아니라 광 에너지에 의한 광화학반응을 이용하는 방법으로 막 형성 온도를 큰 폭으로 저하시킬 수 있으면 또 광 에너지 자체가 반응가스를 분해시킬 수는 있으나 이온을 발생시킬 만큼 크지 않으므로 본질적으로 이온이 존재하지 않는 공정으