A Sustainable City
Providing the highest quality of life with the lowest environmental footprint
100% Renewable Energy
Zero Waste
Net Zero Carbon
Fossil Fuel Free Zone
1. 실험목적 (Purpose)
MOSFET Structure을 가진 MOS Capacitor를 제작하여 그 제작 공정 과정을 알고 MOS Capacitor의 구동 원리를 이해하며 Oxide층(SiO₂) 두께에 따른 MOS Capacitor의 C-V 및 I-V 그래프 변화를 분석해본다.
2. 실험변수 (Variables)
산화층 두께에 따른 MOS Capacitor의 C-V 및 I-V 그래프의 변화를 보기위하
What is High-k ?
고유전율의 재료로써
반도체의 Gate나 Capacitor를 만들 때 사용하는 신소재
Ex) HfO2, ZrO2
High-κ물질은 말 그대로 고 유전율을 가지고 있는 물질이므로 SiO2보다 높은 비율로 집적 시켜도 Tunneling 현상이 일어나지 않아 선택하게 되었다.
반도체 회로의 미세화에 따라 크로스토크(Cross Talk)와