1. DRAM (Dynamic Random Acces Memory)
-동속호출 기억장치 또는 임의접근 기억장치라고도 한다. 컴퓨터의 기억장치로 많이 사용되는 메모리 반도체에는 랜덤 액세스 기억장치인 램(RAM)과 판독 전용 기억장치인 롬(ROM)이 있고, 램에는 일반적으로 동적 램인 디램과 정적 램인 에스램이 있다. 디램은 반도체 산업
산화 환원 전위) 와 (반응에 관여하는 전자수) 값을 구해보고, 농도, 주사속도(scan rate)와 봉우리 전류()와의 관계를 알아보고, 지지 전해질에 차이에 따른 CV 곡선 변화를 찾아내어 그 이유를 알아본다.
Ⅱ. 실험 원리
ⅰ. Cyclic Voltammetry(순환 전압 전류법. CV)
ⓘ 기본원리
☞ 전극 퍼텐셜을 일정한
실험 목적
Cyclic Voltammetry (CV) 의 원리를 이해
산화환원 반응에서 산화, 환원 쌍의 E0와 반응에 관여하는 전자수 값을 계산
농도, 주사속도와 봉우리 전류(ip)와의 관계를 알아보고, 지지 전해질에 차이에 따른 CV 곡선 변화 이해
실험 원리
1. Cyclic Voltammetry
2. Fe(Ⅲ)(CN)6의 산화환원 반응
3. 봉우
Ⅰ. 개요
COD 반응은 다음 식으로 나타낼 수 있다.
MNO4- + 8H+ + 5e- = Mn2+ + 4H2O(산화)
2MNO4 + 5C2O42- + 16+ = 2Mn2+ + 10CO2 + 8H2O(역적정)
MnO4의 안정성은 중성에서 최대를 나타내며 Mn2+, MnO2, 산도, 온도의 증가에 따라서 저하한다. 알카리성에서는 MnO2에 무관계하나 알칼리도, MnO4농도, 시간에 따라서 안정성이 변한
전극의 면적 A에 비례하고 전극사이의 거리에 반비례한다. 따라서 라고 쓸 수 있다.
일반적인 커패시터에서의 d는 두 전극 사이의 거리를 나타낸다. MOS Capacitor에서의 d는 산화물의 두께이다.
Accumulation
(Vg < VFB)
Depletion
(VFB < VG < VT)
Inversion
(VT < VG)
① Accumulation
Vg<0 에서 금속기판은 -전
전극에서 산화력이 큰 물질이 들어있는 전극으로 전류가 흐르겠지만, 반대 방향으로 전류가 흐르도록 외부에서 전류를 강제로 흘려주면 환원력이 더 큰 물질이 오히려 환원되고, 산화력이 더 큰 물질은 산화되는 반응이 비자발적으로 일어나게 된다. 이런 반응이 일어나도록 하기 위해서는 자발적인
2.2. Ni/Cu/Ag 전극 형성
- Electroless Ni plating & sintering
먼저 산화막을 mask로 사용하는 pattern위에 Ni film을 형성하기 위해 무전해 Ni 도금법을 사용하였다. Ni 무전해 도금법은 실리콘 기판 위에 Ohmic contact을 만들기 위한 저가의 방법으로 차아인산나트륨을 환원제로 사용하는 화학환원도금법이다.
화학반
전극이 형성되어 있다. LCD(액정디스플레이)의 기초 소재가 되며 휴대폰이나 액정TV, 노트북 컴퓨터, 전자수첩, 계산기 등에 주로 적용된다.
2. ITO(Indium Tin Oxide ; 인듐 주석 산화물)
ITO란 전기를 잘 통하면서도 투명한 성질을 가진 물질이며 빛을 내기 위해서는 두개의 전극으로 빛나는 물질을 연결해
산화된다.
Glucose + O2-----> gluconic acid + H2O2
이 반응에서 소모되는 산소량을 측정하거나, 생성하거나, 생성되는 gluconic acid 또는 H2O2를 검출하면 간접적으로 glucose의 농도를 측정할 수 있다.따라서 산소전극 상에 GOD를 고정화하면 glucose와 반응한 산소의 농도를 측정함으로써 glucose를 측정할 수
산화피막을 형성하여 부식의 저항성을 증가시킨다.
2.2 3전극 시스템
2.2.1 삼전극 시스템
셀을 구성할 때 2전극, 3전극 또는 4전극을 사용한다. 2전극은 작업전극과 기준전극으로 이루어져 있다. 2전극을 사용할 때 기준전극에 많은 전자가 흐르게 되며, 기준전극과 용액 사이의 산화제와 환원제