![[공학]가변정전압원 만들기-1](http://images.happyhaksul.com/thumb/410/409340-0001.gif)
![[공학]가변정전압원 만들기-2](http://images.happyhaksul.com/thumb/410/409340-0002.gif)
![[공학]가변정전압원 만들기-3](http://images.happyhaksul.com/thumb/410/409340-0003.gif)
![[공학]가변정전압원 만들기-4](http://images.happyhaksul.com/thumb/410/409340-0004.gif)
![[공학]가변정전압원 만들기-5](http://images.happyhaksul.com/thumb/410/409340-0005.gif)
![[공학]가변정전압원 만들기-6](http://images.happyhaksul.com/thumb/410/409340-0006.gif)
![[공학]가변정전압원 만들기-7](http://images.happyhaksul.com/thumb/410/409340-0007.gif)
분야
doc관련 이론
실험 결과
토의 및 고찰 ( 제작 노트 )
PN접합의 항복(Breakdown)영역에서 동작특성이 나타나도록 제작된 다이오드로 주로 정전압용으로 사용된다. PN반도체의 도핑레벨(Doupping Level)을 변화시켜서 2 ~ 200 [V]의 항복범위를 갖도록 해당 전압별로 제작된다.
제너(Zener)항복은 애벌런취(Avalanche)항복과 달리 다이오드가 강하게 도핑(Doupping)되면 공핍층이 대단히 좁아지므로 공핍층에서 생기는 전계의 세기가 300,000[V/cm]정도가 되면 가전자대 전자가 전도대로 충분히 끌어 올려지는데 이러한 형태에 의한 항복을 말하며, 고전계방출(Highh Field Emission)이라고도 한다.
