실험 배경
1960년에 벨 연구소의 연구진은 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)을 발명했다. 이는 이전 트랜지스터에 비해 저렴한 생산비와 기술적 이점을 가졌으며 성능 또한 우수해 전자공학에서 주도적인 역할을 차지하게 되었다. 오늘날과 같은 디지털정보사회가 되기까지 마이크로프
quantum mechanics의 전자구조효과를 적용하였다.
③ 1979, Dr.Mimira가 Bell 실험소의 Dr.Dingle에게 단서를 얻어 HEMT를 발명했다는 소문으로 인해 노벨상을 받지 못하였다.
④ 1980, 서독의 Dr.Klitzing가 프랑스의 Grenoble 연구 센터에서 낮은 온도와 높은 전자장이 노출된 환경에서 MOSFET의 이차원 전자가스를
반도체소자로서 탄소족인 14번 원소이다. 자연에서는 단결정 형태로는 거의 존재하지 않으며 대부분 이산화규소나 규산염의 형태로 존재한다. 하지만 단결정 실리콘의 경우에는 반응성이 극히 작아 고온에서가 아니라면 거의 반응을 하지 않아 산소, 물, 수증기 등이 영향을 끼치지 않는다. 그 이유는
실험적인 데이터를 통해 계산한 후 실제 값과 비교하여 본다.
1-2 배경 이론
1-2-1 MOS Capacitor
그림 1.1 Capacitor
그림 1.2 MOS capacitor
Capacitor(축전기)란 전기회로에서 전기용량을 지녀 전하를 축적시키는 소자를 지칭한다. MOS Capacitor란 Metal-Oxide-Semiconductor(금속-산화물-반도체)의 3중 구조를 말한
실험에 빗대어 설명을 하면 실리콘 Wafer를 E-beam evaporator 내부 상단의 chamber에 장착을 하고 도가니에 증착하고 싶은 물질, 예를 들어 powder를 올린다. 이때 물질의 상태는 solid상태여야 한다. 내부를 진공으로 만들어 준 뒤 E-beam gun을 물질에 쏘아서 증발시켜 실리콘 wafer에 증착을 시키는 것이 원리가 된다