1. 실 험 목 표
MOSCapacitor를 직접 제작하여 원리 및 공정을 이해하고,
전극의 크기(1mm, 2mm, 3mm)에 따른 C-V, I-V값을 측정해 MOSCapacitor의 특성을 알아본다.
2. 실 험 배 경
현대사회의 Technology에서 반도체는 가장 중요한 부분이다. Memory, Display 등에 이용되며, 이는 모든 전자기기에 쓰이기 때문이다.
1. 실험 목적
MOScapacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 크기를 변수로 두고 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.
2. 실험 배경
1960년에 벨 연구소의 연구진은 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)을
MOSCapacitor제작
SiO2의 두께 및 전극의 크기 변화에 따른 C-V, I-V 관계 측정및 최적 조건 도출
중략
VFB와 VTH가 왼쪽으로 이동
이상적인 MOS cap
전극 일함수=기판 일함수
실제 MOS cap
전극과 기판사이 일함수 존재
산화막과 기판 사이에
Fixed charge(Qf) 존재
Qf에 의한 효과 적용
VFB,Qf=VFB-Qf/Cox
1. 실험목적 (Purpose)
MOSFET Structure을 가진 MOSCapacitor를 제작하여 그 제작 공정 과정을 알고 MOSCapacitor의 구동 원리를 이해하며 Oxide층(SiO₂) 두께에 따른 MOSCapacitor의 C-V및I-V 그래프 변화를 분석해본다.
2. 실험변수 (Variables)
산화층 두께에 따른 MOSCapacitor의 C-V및I-V 그래프의 변화를 보기위하
1. 실험목적
MOScapacitor를 직접 제작하며 그 작동 원리를 이해한다. 또한 산화층(SiO2)의 두께(100nm, 200nm, 300nm)와 금속게이트(Au, Ti)를 변수로 하여 이들의 차이에 의한 C-V, I-V 그래프를 분석한 후 이를 바탕으로 산화층의 두께 및 금속게이트의 종류가 MOScapacitor에 미치는 영향을 분석한다.
2. 실험배경