wafer는 표면과 기층부 사이에 절연층을 인위적으로 형성시켜 절연체위에 형성된 고순도 silicon layer의 가공, 효율 및 특성을 대폭 향상시킨wafer
절연체로 차단된 얇은 무결점 실리콘 층을 제공하기 때문에 절연벽이나 웰(Well)형성 공정 등을 줄일 수 있어 제품개발 및 생산기간, 비용을 줄일 수있어 효율
반도체에서 대부분의 chip은 단결정 웨이퍼에다 제작을 한다.
그러나 트랜지스터의 게이트는 다결정 실리콘으로 만든다. 그리고 DRAM의 저장용 커패시터는 비정질 실리콘으로 만들고 앞서 말한 LCD를 구동하는 트랜지스터도 보통 비정질 실리콘으로 제작하며 이것을 TFT-LCD라 부른다.
2절. 결정구조
실리콘 용액을 만들고 이것으로 실리콘 기둥, 즉 잉곳(Ingot)을 만드는데요, 실리콘 결정 성장기술인 초크랄스키법(Czochralski, Cz) 혹은 플로팅 존법(Floating Zone, FZ) 등을 이용하여 얻을 수 있습니다.
특히, 초크랄스키법은 결정 성장 장치를 이용하여 도가니로 다결정 실리콘을 용해 및 서서히 끌어올려
반도체이다. 이와 같이 자연계에 대량 존재하며 반응성이 작다는 장점 때문에 반도체 재료로서 가장 널리, 많이 사용되고 있다.
반도체를 만들 때는 일반적으로 초크랄스키법을 이용해 실리콘은 거대한 단결정으로 성장시키며 이를 얇게 절단한 것이 wafer이다. 이 실리콘wafer는 넓은 에너지밴드갭을
구조를 한 것을 MIS(metal-insulator-semiconductor) 트랜지스터 또는 절연 게이트(insulated gate)형 트랜지스터라 한다. 절연층으로서 산화막()이 쓰이는 경우가 많으므로 MOS(metal-oxide-semiconductor) 트랜지스터라고 한다.
<그림 1> MOSFET
게이트에 전압을 인가하지 않을 때 반도체 표면은 p형으로 있으므로, 소스와 드