두께가 얇을수록 기울기가 전압이 증가함에 따라 기울기가 커져야 한다. 그리고 산화층의 두께가 얇을수록 터널링이 잘 일어나서 유전파괴가 더 잘 일어난다. 하지만 그래프에서 보면 300nm는 100nm, 200nm와는 다르게 대략 1V에서 유전파괴가 일어나서 전류가 흐름을 알 수 있다. 이를 통해 300nm의 capacitor는
두께가 얇을수록 누설전류가 증가해 예상과 같은 결과가 나왔다. 하지만 0V이하일 때는 이론적인 값과 동일한 형태의 그래프가 그려지지만, 두께에 따른 경향성은 찾아볼 수 없다. 이 오차의 원인으로 생각해 볼 수 있는것은, breakdown voltage와 SILC(stress induced leakage current), 우리조의 변수에 annealing 처리가
1. 실험목적
MOScapacitor를 직접 제작하며 그 작동 원리를 이해한다. 또한 산화층(SiO2)의 두께(100nm, 200nm, 300nm)와 금속게이트(Au, Ti)를 변수로 하여 이들의 차이에 의한 C-V, I-V 그래프를 분석한 후 이를 바탕으로 산화층의 두께 및 금속게이트의 종류가 MOScapacitor에 미치는 영향을 분석한다.
2. 실험배경
MOS를 이용한 cpacitor 즉 MOScapacitor는 유전체로써 oxide를 사용하였기 때문에 붙여진 이름이며 이번 실험에서 제작할 소자이다.
3. 실험이론
Si-wafer
① Si의 특성
실리콘은 일반적으로 규소-규소 결합이 아주 불안정하기 때문에 산화물 실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재한다. 이들
MOScapacitor 이다.
3. 실험이론
그림 3.1.2 Capacitor
그림 3.1.1 MOScapacitor
3-1 Metal Oxide Semiconductor(MOS) CapacitorMOS란 Metal-Oxide-Semiconductor(금속-산화물-반도체)의 3중 구조를 말한다.
Metal-Insulator-Semiconductor(금속-절연체-반도체) 구조 중에서 가장 널리 이용된다. 실제로는 실리콘 기판위에 SiO2 박막을