Lithography은 일반적으로 광에 의하여 마스크(Mask)
상에 기하학적 모형(Pattem)을 반도체 웨이퍼의 표면에
도포되어 있는 얇은 감광재료(Photoresist)에 옮겨 놓은
것이다
1. 감광제는 빛에 예민한 반응을 보이는 화합물로서 현재 반도체
산업에 쓰이는 감광제는 3가지 요소 용제, 다중체, 감응제로 구성
되
전자빔(ElectronBeam)을 이용하여 제작 한 후, 레지스트가 코팅된 기판위에 열을 가하거나 UV를 쬐어서 스탬프에 형성된 패턴과 동일한 형상을 모사하는 것이 나노 임프린트 리소그래피 기술이다.
① 열 나노임프린트 리소그래피(Heat-Nano Imprint Lithography)
나노 임프린트 리소그래피는 크게 두 가지
※반도체 제조공정 중 기존의 lithograph 공정과 잉크젯 프린팅 공정의 차이와 잉크젯 프린팅 공정을 적용하였을 경우 얻어지는 장점
A. 반도체 제조공정 중 기존의 lithograph 공정
1.Photolithography
리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는
1.Photolithography
리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 현상까지를 레지스트 처리공정으로 하며, 에칭 공정과 분리해서 생각할 수도 있다. 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판에 의해 축소 투영 전
1. 서론
지난 30년간 리소그래피 기술은 반도체 소자의 발전과 더불어 광 투사 리소그래피(Optical Projection Lithography) 기술을 중심으로 지속적인 발전을 거듭하였다. 그리하여 지금 193 nm의 광 투사 리소그래피를 이용하여 100 nm 이하의 선 폭을 형성할 수 있는 수준에 이르렀다. 그러나 반도체 기술은 앞으