High-K material의 필요성
Thin SiO2의 문제점
게이트 유전막을 통한 boron penetration
20Å 미만의 두께에서
leakage current 발생
poly-si depletion effect
해결
SiO2에 비해 큰 유전상수
물리적 두께 증가
전자의 터널링 억제
Motivation
High Density
- More transistors onto a smaller chip
- Cost effective from
transistor gate
VD : voltage applied to the transistor drain
VT : threshold voltage
Permittivity
Band gap
Band alignment to silicon - sufficiently large band offsets are needed to keep the leakage current low and protect the film from hot carrier injection.
Thermodynamic stability
Minimization of electric fields due to phonons in the dielectric to reduce scattering in the Si s
4. Equipment
4.1 RCA cleaning
RCA cleaning is a series of rinsing procedure prior to experiment with Si wafer. The purpose of the RCA clean is to remove organic contaminants (such as dust particles, grease or silica gel) from the wafer surface. There are three steps to be performed. The first step is to remove organic contaminant from surface of wafer. Second step is to remove any oxide layer
TFT-LCD
구성
TFT가 형성되어 있는 아래 유리기판
Color Filter가 형성되어 있는 윗 유리기판
TFT 와 Color Filter 사이에 주입된 액정(LC)으로 구성
원리
TFT는 전기적 신호를 전달, 제어
액정은 전압에 따라 분자구조를 달리하여 빛의 투과를 제어
제어된 빛은 Color Filter를 통과하면서 원하는 색과 영상으로