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P-type의 Si wafer에 SiO2에 Thermal&E-beam Evaporator를 이용하여 metal을 증착 시킨다. 이때 Shadow mask 장착 한 후 공정을 실시하고 이 경우에는 Thermal방법을 이용한다. Thermal방법은 용융점이 높은 텅스텐 판 위에 증착시키고 싶은 물질을 올려놓고 전기를 흘려준다. 흐른 전기 때문에 온도가 올라가다가 녹
재료로서 가장 널리, 많이 사용되고 있다.
반도체를 만들 때는 일반적으로 초크랄스키법을 이용해 실리콘은 거대한 단결정으로 성장시키며 이를 얇게 절단한 것이 wafer이다. 이 실리콘 wafer는 넓은 에너지밴드갭을 가지며 비교적 고온에서도 소자가 작동가능하다는 장점이 있어 다양한 반도체 소자를
이용된다. 실제로는 실리콘 기판위에 SiO2 박막을 형성하고 그 위에 금속 전극을 배치한다. 이 구조를 접합구조로 한 MOS 다이오드, 전계효과 트랜지스터(FET)의 게이트에 사용한 MOSFET 등의 장치에 응용되고 있다.
(1) MOS의 구조
MOS는 반도체 기판위에 이산화규소(Si02)로 된 Depletion layer(공핍층)와 금속
증착이나 스퍼터링법으로 형성된 ITO(Indium Thin Oxide)가 주로 전극으로 사용된다. 일반적으로 Anode 전극은 보다 많은 정공을 만들고 정공의 주입을 용이하게 하기 위하여 일함수가 큰 물질을 사용한다. 또한 OLED소자가 발광했을 때 발광효율을 저하시키지 않게 하기 위하여 광투과도가 높은 물질을 사용
박막은 In2O3에 Sn을 10% 정도 포함한 n-type 반도체 재료로서 다른 투명 박막에 비하여 Sn의 첨가로 인한 매우 낮은 전기저항과 안정성 때문에 사용되어 지고 있다. 비저항이 1 × 10-3Ώ/cm이하, 면 저항이 103Ώ/sq 이하로 전기전도성이 우수하다. 그리고 ITO가 도포된 유리기판상의 각 화소를 포토리소그래
신뢰성은 크게 떨어지게 된다.두 번째 이유는 광선을 이용해서 나노 크기의 회로를 만들려면 현재보다 훨씬 짧은 파장의 빛을 사용할 수밖에 없는데 기술적으로 가능은 하나 막대한 비용이 든다는 사실이다. 이러한 한계점 때문에 기존의 포토리소그래피에서 발전시킨 방법을 개발하고 있는데 여러
1. 실험목적
MOS 소자를 만드는 과정을 이해한다. Metal 종류, oxide 종류, 증착방법에 따른 MOS의 특성을 파악한다. 본 실험에서는 Oxide의 두께에 따른 C-V, I-V 특성을 평가한다.
2. 이론 배경 지식
2.1. MOS의 이해
2.1.1. MOS Capacitor의 구조
그림 1. MOS capacitor의 구조
MOS capacitor는 metal, oxide, semiconductor
1. 실험 목표
MOS를 직접 제작하고 공정을 이해하고, Dielectric 재료와 두께에 따른 MOS 특성 및 구동원리를 이해한다.
2. 이론적 배경
그림 1에 나타낸 바와 같이 p형 실리콘(Si) 표면에 2개소에 n+층을 형성하고, 그 위에 음성 전극을 붙여 한편의 전극을 소스(source), 다른 편을 드레인(drain)이라 한다.
flow)로서 산소나 수증기 등의 반응기체는 운반기체(carrier gas)에 섞여 기체 혼합물로 공급되며, 웨이퍼 근처까지 도달한 이후에는 주로 기체 및 고체 상태 확산에 의해 물질 전달되어 진다. 열 산화 공정은 반응공학적인 측면에서 볼 때 전형적인 기체-고체 반응(gas-solid reaction) 시스템이라 할 수 있다.
CNT를 주목하게 되었다. 이 결과 나노혼 구조의 경우, 백금계 촉매를 매우 미세하게(직경 2nm) 담지시켜, 결과적으로 연료전지의 출력을 20% 정도 향상시킬 수 있음을 밝혀냈다. 종래 활성탄으로 동일 조건에서 실험을 행한다면 [그림 37]에 나타낸 것과 같이 촉매입자의 크기가 2배이상이다. 이것은 촉