Fig. 1 b depicts the SEM image of the coated product, indicating that dense wire-like nanostructures were observed. Statistical analysis of many SEM images indicated that the average diameter of the produced 1D structures was in the range of 50-110nm. The inset of Fig. 1 b shows a typical closer-view SEM image of MZO-coated ZnO nanowires. It is noteworthy that the surface of the MgO-coated nanowi
Solid Source
each cell is loaded with a charge material, usually a pure element like gallium or arsenic, which is solid at room temperature.
The gaseous atomic or molecular beam is generated by heating the charge in the effusion cell in the growth chamber.
The effective beam pressure or flow rate of the gas, called the beam flux, is varied by adjusting the effusion cell temperature.
A
Ion Implantation
Ionized dopant atoms are physically forced into the silicon crystal by accelerating them through high potentials (3 kV- 3 MV) toward the silicon wafer.
– Mass separator allows each implanter to run multiple
processes (B, P, BF2, As...)
– Low temperature (room temperature ~200 °C)
• can use photoresist as a mask
– Needs to be followed by an anneal
1. 비휘발성 메모리 기술 개요
모바일 및 디지털 정보 통신 산업, 가전 산업의 급속한 발달로 인하여 DRAM 일변도만으로는 수년 내에 국내 반도체 산업은 큰 위기를 맞을 수 있다. 그 이유는 현재 모바일, 디지털 환경에 대응하기 위해 DRAM이나 플래시 메모리(Flash Memory)를 논리소자와 결합시킨 embedded 메
우리나라 반도체산업은 2000년도 기준으로 248억불을 생산하여 235억불을 수출하는 수출주도형의 주요 국가기간 산업으로 매년 20% 이상의 고속성장을 하며 국가경제를 이끌어 가는 첨단기술의 총집합체로 잘 알려져 있다. 하지만 첨단기술로 만들어지는 반도체제조 공정과 발생되는 물질을 분석하여
1.광메모리란 무엇인가?
21세기로 들어오면서 컴퓨터 기술과 정보통신분야의 급격한 발달로 멀티미디어 환경은 인터넷을 통하여 광대한 양의 정보의 흐름을 요구할 뿐만 아니라 대용량의 정보를 저장하기 위한 새로운 정보의 저장 매체를 필요로 한다.
정보저장 매체는 정보를 매체에 저장하는 것