증착하는 것이다.
3. 웨이퍼공정
3백㎜(12인치)웨이퍼공정 기술
현재 일반적으로 사용되고 있는 200㎜(8인치) 웨이퍼에 비하여 300㎜(12인치)웨이퍼의 최대 장점은 반도체소자의 제조원가 절감.
하지만 대체 제품인 300㎜ 웨이퍼가 신규라인 건설에 따른 비용부담이 과다하고 웨이퍼 자체의
법들이 공통적으로 PVD에 묶일 수 있는 이유는 증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체 상태가 고체 상태로 바뀌는 과정이 물리적인 변화이기 때문이다. 많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로 제조해서 열이
웨이퍼라는 얇은 판을 만든다. 그런 다음 태양 전지 구조에 필요한 불순물을 약1000도씨에서 확산법이라는 방법으로 첨가하여 p-n 접합을 만든다. 전기를 얻기 위해 전극을 형성한 후 마지막으로 빛의 반사를 최대한 막기 위해 반사 방지막을 형성한다. 그러나 이 제조공정은 복잡하고 제조 온도가 높아
가지(두께, 폭, 길이)의 차원을 가지고 있다면, 박막 고체 층은 다른 두 개(폭, 길이)의 차원보다 훨씬 작은 두께의 차원을 갖는다. 박막은 막에 비해 훨씬 두꺼운 웨이퍼 기판과 결합되어 있다. 기판과 매우 근접한 박막 표면은 박막 물질의 물리적, 기계적, 화학적, 전기적 특성에 깊은 영향을 미친다.