MOS
P-type MOS란, 전하를 옮기는 캐리어로 정공(양의 전하를 가진 전자와 같은 거동을 하는 가상 입자, Hole)이 사용되는 MOS이다. 양의 전하를 가지는 정공이 캐리어로서 이동해서 전류가 생긴다. 즉, 정공이 다수 캐리어가 되는 MOS이다. 예시로 실리콘과 동일한 4가 원소의 진성 반도체에, 미량의 3가 원소
4. 실험방법
① Wafer준비
우리 조의 변수인 산화물(SiO2)의 두께인 5nm, 10nm, 15nm가 증착된 Si wafer를 준비한다.
유산지를 깔고 그 위에 wafer를 올린다음 각 두께별로 원판모양인 Si wafer에 텅스텐 칼을 이용하여 약간의 힘을 가하면서 잘라주어 1면적을 가지도록 만들어준다.
각 두께별로 표시를 해둔 페
1조의 변수 : 산화물(SiO2)의 두께 5nm, 10nm, 15nm
1) 유산지를 깔고 그 위에 wafer
2) 각 두께별로 원판모양인 Si wafer에 텅스텐 칼을 이용하여
잘라주어 1 면적을 가지도록 만들어준다.
3) 각 두께별로 표시를 해둔 페트리디쉬에 자른 wafer를 담는다
면적당 전류 : 누설전류
산화막의 두께↓- 터널링↑
실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재한다. 이들은 지각의 1/3정도를 구성하고 있어 지구상에서 매우 풍부하게 존재하고 있으며, 따라서 반도체 산업에 매우 저가의 가격으로 안정적으로 공급될 수 있는 재료이다. 또한 물질에 독성이 전혀 없어 환경적으로 매우 우수한 재료이기도 하다.
MOScapacitor 이다.
3. 실험이론
① Capacitor(커패시터)
커패시터란 두개의 도체판을 절연물질(Insulator)을 중간에 두고 맞대어 놓은 구조물이다. 커패시터의 한 도체판에 전압이 인가되어 잉여의 전자가 존재하게 되면 반대편 판에서는 도체를 이루고 있는 전자들이 앞판의 전자압력에 의해 뒤편으로