Ⅰ.thermal oxide 제조와 관련된 실험 원리 및 배경설명, 실험방법 조사
thermal oxide(열산화막 = SiO2)는 ‘Oxidation’을 통해 형성된다.
Oxidation이란?
반도체 공정에서 Si 기판 위에 산화제(물이나 산소)와 열에너지를 공급해 절연막 등 다양한 용도로 사용되는 SiO2막을 형성하는 공정, SiO2는 절연막으
화합물의 정의
2개 이상의 다른 원소들이 일정 비율로 구성된 순물질을 말하는데, 탄소와 수소의 포함여부에 따라 유기화합물과 무기화합물, 원소의 결합방식에 따라 이온화합물과 분자화합물로 나뉜다
유기화합물과 무기화합물
유기화합물
탄소 원자(C)가 분자 내에 포함되어 있는 화합물
Ⅰ. 개요
제 1세대 컴퓨터는 전자관을 이용했고, 제 2세데 컴퓨터는 반도체트랜지스터를 사용했으며, 제 3세대 컴퓨터의 주요부품은 SSI, MSI 회로였다. 제 4세대 컴퓨터는 대규모 집적회로를 사용하고 있다. 대규모 집적회로의 출현에 따라 컴퓨터 중에서 마이크로컴퓨터가 출현했고, 4비트에서부터 8비
■ CMOS
p 채널의 MOS 트랜지스터와 n 채널의 그것을 서로 절연하여 동일 칩에 만들어 넣어 양자가 상보적으로 동작하도록 한 것으로, 소비 전력은 μW 정도이고 동작은 고속, 잡음 배제성이 좋다. 전원 전압의 넓은 범위에서 동작하고, TTL에 적합하며 동일 회로 내에서 공존 가능하다. 팬아웃 용량도 크다.
CVD
화학기상성장법 [化學氣相成長法, chemical vapor deposition
IC(집적회로) 등의 제조공정에서 기판 위에 규소 등의 박막을 만드는 공업적 수법으로 약칭은 CVD이다. 화학물질을 포함하는 가스에 열이나 빛으로 에너지를 가하거나, 고주파로 플라스마화시키면 원료물질이 라디칼화되어 반응성이 크게 높
Ion Implantation
Ionized dopant atoms are physically forced into the silicon crystal by accelerating them through high potentials (3 kV- 3 MV) toward the silicon wafer.
– Mass separator allows each implanter to run multiple
processes (B, P, BF2, As...)
– Low temperature (room temperature ~200 °C)
• can use photoresist as a mask
– Needs to be followed by an anneal
(9)열산정
1)입열:0.32kcal/Sm³∙℃ x 204℃ x (3,569) Sm³/Hr
=232,984kcal/hr
2)방산열량(시설벽):(hc + hr) x A x T = (15kcal/m² ∙ h ∙ ℃ x 30m² x 110℃)
=49,500kcal/hr
단)T=(204 + 20)/2 ⌠ 110℃ 이다. 175℃:가스온도, 20℃:외부온도
3)물분사에 의한 열손실:1kcal/kg ∙ ℃
Ⅰ. 개요
제 1세대 컴퓨터는 전자관을 이용했고, 제 2세데 컴퓨터는 반도체트랜지스터를 사용했으며, 제 3세대 컴퓨터의 주요부품은 SSI, MSI 회로였다. 제 4세대 컴퓨터는 대규모 집적회로를 사용하고 있다. 대규모 집적회로의 출현에 따라 컴퓨터 중에서 마이크로컴퓨터가 출현했고, 4비트에서부터 8비
1. 서론
박막공학과 기술은 21세기의 중요한 산업으로 성장해 왔으며, 많은 연구의 대상이 되어왔다. 그 이유는 박막이 반도체의 제조에 중요하기 때문이다. 박막은 물리기상증착(Physical Vapor Deposition)과 화학기상증착(Chamical Vapor Deposition) 등의 다양한 방법으로 성장되며, 일단 형성된 박막은 어떤 형태