PECVD 원리
- 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD) 원리
PECVD는 전기적 방전을 통해 기체 내에 화학 반응을 일으켜 화학 기상 증착물을 형성시키는 기술이다. 이러한 기술은 통상 플라즈마 열역학에 따른 2 가지 부류로 나뉜다. 즉, 대기 중에서의 아크 방전과 같은 열 플라즈마 및 저압 글로우
1.MEMS 및 ICS에 사용되는 식각공정을 분류하고 이에 대하여 장단점과 특성을 아는바 대로 기술하시오
MEMS 식각공정은 건식식각공정이 대표적이다.
건식식각기술은 용액 속에서 식각을 하지 않고 기체상태에서 용액 없이 식각을 진행 하는 방법으로 가스 식각, 스퍼터링효과 식각, RIE 식각으로 분류
PECVD조건에서는 전자의 에너지가 충분히 작아 이온화 속도보다 radical의 형성 속도가 빠름
Radical의 흡착
Radical은 높은 흡착계수를 가지고 있어 쉽게 표면에 흡착한 후, 가장 안정된 site 를 찾아 이동, 새로운 결합을 만들어 박막을 형성
표면에 붙은 원자의 재 분포의 화학적, 물리적 반응
외부공정 변
○ PECVD
∙ What is PECVD?
⇒ Radio frequency(RF) is used to induce plasma in the deposition gas.
⇒ This results in a higher deposition rate at relatively low temperatures.
⇒ With the plasma enhanced CVD process is the deposition at temperature around 300℃ allows.
⇒ The temperature will be through encouragement of a plasma with high frequency electric fields triggered.
PECVD에서의 플라즈마의 가장 중요한 역할은 낮은 온도에서 반응가스를 분해시키는 것이다. 열역학적으로 안정한 상태에 있는 반응가스 분자가 플라즈마의 중의 전자와 충돌하여 그 운동량 전달로 인하여 분해되는 것이다. 플라즈마 중에서 반응가스의 분해는 대단히 활발하게 일어나서, 그 분해율은