NIL 기술은 그 방법에 따라 Thermal- 또는 UV-NIL 두 가지로 분류할 수 있다. 2006년 4월 전자공학회지 제33권 제4호, 연세대학교, 강신일
2. Thermal-NIL(Nano Imprint Lithography)
Thermal-NIL 기술은 고온 고압의 환경에서 열에 변형이 되는 폴리머 레진에 나노 크기의 형상이 새겨진 몰드(스탬프)를 눌러서 나노
UV를 소스(source)로하여 레지스트(resist)의 유동성을 이용해서 나노 사이즈의 패턴을 전사하는 방법으로 기존의 Deep UV, EUV, X-ray를 사용한 방법보다 비용이 저렴하며 대량 생산이 가능하다는 장점이 있다.
2. 본론
⑴ Nano Imprint Lithography (NIL) 의 기본 원리
나노 임프린트 리소그래피는 초미세 가
Lithography은 일반적으로 광에 의하여 마스크(Mask)
상에 기하학적 모형(Pattem)을 반도체 웨이퍼의 표면에
도포되어 있는 얇은 감광재료(Photoresist)에 옮겨 놓은
것이다
1. 감광제는 빛에 예민한 반응을 보이는 화합물로서 현재 반도체
산업에 쓰이는 감광제는 3가지 요소 용제, 다중체, 감응제로 구성
되
The lens is used to focus the sectioned UV light down to a smaller area on the chip. The smallest feature size capable of being written on the wafer is a function of the numerical aperture of the lens as well as the wavelength of the light.
uses a patterned elastomer(e.g. PDMS(Poly DiMethyl Siloxane)) as the stamp, mold, or mask to generate micro-patterns and microstructures
C
UV) 노광기술로 발달하여 0.210 이하의 고해상도 기술이 달성되었다. 현재에는 248nm 파장의 KrF 엑사이머 레이저 노광기술로 256메가빗(Mbit) DRAM 반도체의 대량생산이 이루어지고 있으며 1 기가빗(Gb) 메모리 반도체의 생산이 가능하게 되었다. 하지만 반도체 기술 분야에서 소자의 최소 선폭 크기(CD: critical di