-PVD 물리 증착법 : 시간이 적게 드는 특징이 있다. (ex : 열증착, E-beam 증착법)
-CVD 화학 증착법 : 오래 걸리지만 박막을 표면에 고르게 증착시킬 수 있다.
1. Thermal Evaporator의 구조 및 설명
Thermal Evaporator의 설명
Evaporation의 방법으로는 thermal evaporation과 e-beam evaporation 그리고 이 둘을 조합하는 방법
1. Thermal evaporator
① Thermal evaporator란?
Thermal evaporation을 하는 데에 사용되는 장비를 Thermal evaporator라고 부릅니다. 반도체 소자를 만드는 일련의 공정을 반도체 공정이라고 합니다. 이 반도체 공정은 산화공정, Diffusion 공정, 이온주입공정, 화학기상증착공정, 사진식각공정, 금속공정으로 나누어집니다.
instrument composition
-Electric furnace
Temperature range:
25°C~1500°C
Heat speed :
Maximum 200°C/min
*Separate Electric furnace and other system like Electronic scale
-Because Electric furnace temperature is very high
so we need to protect other system.
instrument composition
-Electric furnace
Temperature range:
25°C~1500°C
Heat speed :
Maximum 200°C/min
*N
Temperature Modulated DSC(TMDSC), High pressure DSC(HPDSC),
Photo DSC(UV-DSC), Maximum resolution TGA or High resolution TGA(MaxRes TGA or HighRes TGA), Reactor TGA, Dynamic Load TMA(DLTMA), Evolved Gas Analysis or Coupling techniques(EGA or TGA-MS/TGA-FTIR)
Difficult to obtain
reproducibility
A few difference of condition
and temperature
→ Enormous effect on result
→ Hard to
Thermal NOx
Thermal NOx는 연소용 공기중에 함유되어 있는 N2가 고온에서 산화되어 발생되는 질소산화물로 NOx의 생성속도는 온도에 매우 민감하여 1,000℃이상에서 발생되며 온도가 증가할수록 생성속도는 급격히 증가한다. Thermal NOx의 생성반응식은 다음과 같다.
N2 + O ↔ NO + N -------- (5)
N + O2 ↔ NO + O ---
To prevent silicon from agglomerating
→ should cool the solid quickly
Rapid cooling
→ large thermal gradient in crystal
Postulate K=20W/m K
Diameter of wafer: 10-20 cm
L (latent heat of fusion) = 340 cal/g
Temperature gradient in silicon CZ (dT/dx) : 100°C/cm
1-3. 최적 압축비 이상으로 증가할 때 오히려 크랭크 축으로 전달되는 torque가 감소하는 이유 ?
압축비를 증가시킴으로써 엔진의 효율을 상승시킬 수 있다. 그러나 압축비를 무한정 높이지 못하는 원인들이 있는데 가솔린 엔진에서 압축비 제한의 가장 주요한 요인은 knocking이다.
연소가 일어날 때 화
Ⅰ. Introduction
어느덧 날이 추워지고 군대에서의 아련한 추억이 생각나는 시기가 되었다. 한 겨울 영하의 기온에서 혹한기 훈련을 받고, 칼바람이 부는 날 시린 손을 비벼가며 작업을 하던 기억이 추억이 되어가고 있다. 그런 힘든 군생활 가운데 얼어 붙은 몸을 녹여주는 따뜻한 뽀글이(봉지라면)는 추