Cleaning & Wet-Station 의 중요성
모든 반도체 공정은 오염물들의 근원이고 이는 소자의 성능과 수율에 직접적인 영향을 미치게 된다. 각 공정 후 Wafer 표면의 오염물은 기하급수적으로 늘어나게 되고 이 오염물에 의해 반도체 소자의 수율은 급격히 감소하게 된다. 반도체 세정 공정은 Wafer 표면의 모든 오염
Lithography
Si Wafer coated with PR
Spin coating
PR is coated evenly by turning round rapidly.
Exposure
Align the Mask exactly and emit UV.(fixed 10sec)
Observation
See the completed sample through SEM
Development
∙ Dip the sample in the alkaline solution.
→(process parameter : 10sec 60sec 180sec)
∙ Due to differences in solubility of the exposed portion to be dissolv
Wafer Spin Cleaning with Repetitive Use of Ozonated Water and Dilute HF) 라 불리는 세정 방법이 연구되고 있다 이 세정법은 5~10초동안 선택적으로 웨이퍼에 오존수와 희석불산용액을 분산하는 방법으로 여러 차례 반복하여 웨이퍼로부터 효과적으로 파티클 금속불순물 그리고 유기오염물을 제거하게 된다 RCA세정과 비
4. Equipment
4.1 RCA cleaning
RCA cleaning is a series of rinsing procedure prior to experiment with Si wafer. The purpose of the RCA clean is to remove organic contaminants (such as dust particles, grease or silica gel) from the wafer surface. There are three steps to be performed. The first step is to remove organic contaminant from surface of wafer. Second step is to remove any oxide layer