공정 후 Wafer표면의 오염물은 기하급수적으로 늘어나게 되고 이 오염물에 의해 반도체 소자의 수율은 급격히 감소하게 된다. 반도체세정공정은 Wafer표면의 모든 오염물을 완벽히 제거하는 것이 가장 이상적인 목표이기는 하지만 그것은 거의 불가능하다고 할 수 있다. 실제로 웨이퍼세정공정은 각
wafer세정에서 RCA 세정법을 대체 할 친환경 & 고기능 세
정제 및 공정 개발 (고체산 + 오존수 2단계 공정)
반도체세정공정웨이퍼세정
-Wafer의 표면 상태를 Control 하는 공정
- 양질의 산화(Oxide)막 증착을 위한 자연 산화막의 제거
- Nitride 막의 제거
- 잔류 금속의 제거
- Organic 제거, 파티클
세정 방법이 연구되고 있다 이 세정법은 5~10초동안 선택적으로 웨이퍼에 오존수와 희석불산용액을 분산하는 방법으로 여러 차례 반복하여 웨이퍼로부터 효과적으로 파티클 금속불순물 그리고 유기오염물을 제거하게 된다 RCA세정과 비교해 세정용액의 사용을 줄일 뿐만 아니라 DI water 의 사용 또한 줄
Si(MGS,
poly)
+ 2CO
Si
+
3HCl
→
SiHCl
3
+
H
2
2SiHCl
3
+
2H
2
→
2Si(EGS)
+ 6HCl
순도
99.9999999% 단결정
규
소를
얇게
잘라
표면을
매끈하
게
다듬은
것.
최근
두께
0.3mm, 지름
15cm 원판형으로
사용
앞으로
지름
30cm의
대형
웨
이퍼가
등장할
것임.
표면
결