세정
SCROD(Single-Wafer Spin Cleaning with Repetitive Use of Ozonated Water and Dilute HF) 라 불리는 세정 방법이 연구되고 있다 이 세정법은 5~10초동안 선택적으로 웨이퍼에 오존수와 희석불산용액을 분산하는 방법으로 여러 차례 반복하여 웨이퍼로부터 효과적으로 파티클 금속불순물 그리고 유기오염물을 제거하게
세정
문제제기: .기존 RCA법의 요염물 다량 배출(H202, DI water 및 HCl)
기존 RCA법에서 고가 운영비(과산화수소 처리공정, 높은 온도유지)
.반도체가 점점 작아지면서 미세한 오염물 제거의 필요성
지표면 오존의 심각성(오존주의보)
목표
웨이퍼세정에서 파티클 및 유기물을 제거 함
세정에서 RCA 세정법을 대체 할 친환경 & 고기능 세
정제 및 공정 개발 (고체산 + 오존수 2단계 공정)
반도체세정공정웨이퍼세정
-Wafer의 표면 상태를 Control 하는 공정
- 양질의 산화(Oxide)막 증착을 위한 자연 산화막의 제거
- Nitride 막의 제거
- 잔류 금속의 제거
- Organic 제거, 파티클제거
, 평탄화 가공하는 것
(2) 가공면은 세정 가능하게 하여 무오염화를 꾀하는 것
(3) 공정 종료점이 분명히 되는 것
(4) 생산효율(throughput)이 높은 것
(5) 대구경 웨이퍼에 대응할 수 있는 것
(6) 운용비(Running Cost)가 낮아야 함
(7) 장치가 가볍고 설치면적(Footprint)이 작아야 함
(8) 종합기술로써 추진하는것
공정 후 Wafer 표면의 오염물은 기하급수적으로 늘어나게 되고 이 오염물에 의해 반도체 소자의 수율은 급격히 감소하게 된다. 반도체세정공정은 Wafer 표면의 모든 오염물을 완벽히 제거하는 것이 가장 이상적인 목표이기는 하지만 그것은 거의 불가능하다고 할 수 있다. 실제로 웨이퍼세정공정은 각