결과 생긴 신호들이 여러 점으로부터 모여들어 음극선관(cathod ray tube)에 상을 형성한다. 주사전자현미경의 특징은 초점이 높은 심도를 이용해서 비교적 큰 표본을 입체적으로 관찰 할 수 있다는 것이다.
두 가지 전자현미경의 차이를 보면, TEM은 얇은 시편을 beam이 투과하여 관찰하므로 2차적인 또는
flow)로서 산소나 수증기 등의 반응기체는 운반기체(carrier gas)에 섞여 기체 혼합물로 공급되며, 웨이퍼 근처까지 도달한 이후에는 주로 기체 및 고체 상태 확산에 의해 물질 전달되어 진다. 열 산화 공정은 반응공학적인 측면에서 볼 때 전형적인 기체-고체 반응(gas-solid reaction) 시스템이라 할 수 있다.
실험 방법상 유전체를 포함한 시편 제작에 사용된 모든 장비, 분위기, 또는 재료가 같게 제작이 되었으며 변수는 바로 유전체 두께의 변화와 전극의 크기만 있기 때문에, leakage current나 절연파괴전압이 두께와 전극의 크기에 따라 변한다고 생각할 수 있다. 우리가 예측하는 결과로는, 0 voltage일 경우엔
1) 산화공정(Oxidation)
열 산화법은 산화층 내부와 SiO2/Si 계면에 결함을 거의 생성시키지 않는 방법으로서 우수한 특성의 절연막을 형성시킬 수 있는 기술이다. 이 기술은 산화 반응에 사용되는 기체의 종류에 따라 건식 산화(dry oxidation)법과 습식 산화(wet oxidation)법으로 구분되는데, 반응기체로 순수한
. Gate에 전압()을 가해주어도 페르미 에너지 준위()는 변하지 않고 일정하며, >0이면 금속의 는 내려가며 <0이면 금속의 는 올라간다. 따라서 반도체 쪽의 에너지 밴드는 전압에 따라 휘어지게 되며 oxide에서는 charge center가 없으므로 electric field가 일정하다. 그 결과 band가 일정한 기울기로 휘어지게 된다.
01 실험 목적
MOS Capacitor를 직접 제작해보고 공정을 이해
유전층의 종류(Al2O3, SIO2)에 따른 MOS Capacitor의 전기적 특성 분석
(중략)
04 결론
1. SiO2와 Al2O3의 Cmax 측정값과 예상값의 차이
-E-beam Evaporation 의 좋지 않은 박막 균일도
-실험상의 오류
2. 순방향과 역방향 Bias 에서의 C-V 커브 차이
-h
재료로서 가장 널리, 많이 사용되고 있다.
반도체를 만들 때는 일반적으로 초크랄스키법을 이용해 실리콘은 거대한 단결정으로 성장시키며 이를 얇게 절단한 것이 wafer이다. 이 실리콘 wafer는 넓은 에너지밴드갭을 가지며 비교적 고온에서도 소자가 작동가능하다는 장점이 있어 다양한 반도체 소자를
1. 실험 목표
MOS를 직접 제작하고 공정을 이해하고, Dielectric 재료와 두께에 따른 MOS 특성 및 구동원리를 이해한다.
2. 이론적 배경
그림 1에 나타낸 바와 같이 p형 실리콘(Si) 표면에 2개소에 n+층을 형성하고, 그 위에 음성 전극을 붙여 한편의 전극을 소스(source), 다른 편을 드레인(drain)이라 한다.
실험에서 제작할 소자이다. 전기신호의 증폭과 스위칭을 가능하게 한 Transistor의 기능에 가장 근본적인 원리를 설명하여 줄 수 있는 것이 MOS capacitor 이다.
3. 실험이론
그림 3.1.2 Capacitor
그림 3.1.1 MOS capacitor
3-1 Metal Oxide Semiconductor(MOS) Capacitor
MOS란 Metal-Oxide-Semiconductor(금속-산화물-반도체)의 3
1.2. 재료가 사용된 이유
투명 전도막(TCO : Transparent Conductive Oxide)이란, 가시광 영역에서 광 투과율이 우수해야 하고, 높은 전기전도도와 적절한 에칭 특성을 지녀야 한다. ITO는 가시광선 영역 (400nm ~ 700nm)에서 80%정도의 투과도를 가지며 optical band gap이 3.55eV를 가짐으로 인하여 가시광선 영역에서 높은