Ⅰ. 개요
수조의 물을 자유전자로 생각하면 이 상태에서는 물을 좌측 수조로 옮길 수 없다. 그래서 좌측 수조를 조금위로 올리면서 수면이 벽보다 위에 있도록 하고 우측 수조의 높이를 훨씬 아래에 둔다. 이렇게 하면 물을 벽을 타고 흘러 우측수조로 신나게 떨어진다. 이와 같은 모형에서 좌측 수조
Ⅰ. 산화와 광화학산화제
대기는 하나의 광화학적 반응로와 같으며, 이 반응로의 에너지원은 태양 복사이다. 태양 복사 중 에너지 강도가 큰 가시광선(visible: 0.390~0.770μm)과 자외선(ultraviolet:〈0.4μm)은 대기 구성 성분들로부터 원자나, 자유기(radical), 이온들을 만들어 내거나, 구성 성분들을 여기(勵
1. 실험목적
MOS capacitor를 직접 제작하며 그 작동 원리를 이해한다. 또한 산화층(SiO2)의 두께(100nm, 200nm, 300nm)와 금속게이트(Au, Ti)를 변수로 하여 이들의 차이에 의한 C-V, I-V 그래프를 분석한 후 이를 바탕으로 산화층의 두께 및 금속게이트의 종류가 MOS capacitor에 미치는 영향을 분석한다.
2. 실험배경
1. STI공정
Trench는 0.25㎛ 이후의 반도체 공정에서 Isolation 목적으로 만들어진 공정이다.
Design Rule마다 조금의 차이는 있지만 4000Å정도의 깊이로 Silicon Wafer를 Etch해서
소자들끼리 격리시키는 것, 이 공정을 STI(Shallow Trench Isolation)이라고 한다.
CVD(화학증착)는 Pack cementation , Thermal CVD, 플라즈마 CVD로 크
산화막의 두께에 따라 다르다. 산화막의 두께가 얇아짐에 따라 누설 전류가 증가하는데, 산화막이 얇아지게 되면 터널효과가 나타나게 된다. 산화막의 두께가 점점 얇아질수록 터널링이 더 잘 일어나기 때문에 누설 전류는 기하급수적으로 증가한다. 누설 전류가 최대 허용치를 넘어서게 되면 소자의