1. AFM 측정 모드별 장단점 비교와 특성에 대해 서술하시오.
(1) AFM(Scanning Force MicroScope)의 원리
'AFM'는 텅스텐 또는 백금으로 된 탐침대신 나노기술로 제조된 프로브를 사용하는데, 이 프로브는 프로브의 모판(substrate) 끝에 아주 미세한 힘(나노뉴톤)에서 쉽게 휘어지는 판형 스프링
(cantilever) 끝에 원자
Like a finger in the macro world so feels a tiny tip on a lever in the nano world a surface Forces are in Pico Newton range the same like intermolecular binding forces
1-1. AFM tip
- actually feels the sample surface.
- silicon nitride
exhibit excellent flexibility, Contact AFM mode
- silicon crystal
high frequency oscillating(100kHz), more stiffer than silicon nitride, non co
특정 상을 구분하기 위한 시편 준비가 힘듦
광학현미경, 전자현미경
여전히 시각적 영상과 경험에 의존
주관적 판단에 따른 오류가능성
그렇다면
종래의 방식들을 보완하기 위해서는??
정량적 분석
AFM(Atomic Force Microscope)
EFM(Electrostatic Force Microscope)
SPM(Scanning Probe Microscope)
투과전자현미경은 주로 시료의 내부구조나 단면을 관찰하는데 쓰이고 있다. 원리는 광학현미경과 비슷하다. 전자현미경에서의 광원은 높은 진공 상태(1x10-4 이상)에서 고속으로 가속되는 전자선으로 이 전자선이 표본을 투과하여 형광판이나 사진필름에 초점을 맞추어 투사된다. 이 전자의 파장은 가
1. 광물의 안정관계와 변성상평형도
광물의 안정관계를 기초로 한 연구는 20세기 초 골드슈미트(V. M. Goldschmidt)와 에스콜라(P. E. Eskola)의 접촉 변성암에 대한 연구로부터 시작되었다. 이들은 접촉변성대 좁은 구역을 온도와 압력이 동일한 것으로 간주하였고 변성암의 광물조합 차이를 두고 원암의 화학
캔틸레버의 탐침은 시료표면에 적용되는 힘이나 AFM의 lateral resolution을 결정.
Silicon , silicon nitride로 만듦
길이 100-200㎛, 넓이 40㎛, 두께 0.3-2㎛
표면에 수직하게 야기되는 반발력
반발력은 1~10 nN
작은 힘에도 매우 민감하게 반응하여 0.01 nm 정도로 미세하게 움직이는 것까지 측정
미세한 표면형상
3D printing
3D printing or additive manufacturing (AM) refers to any of the various processes for printing a three-dimensional object. Primarily additive processes are used, in which successive layers of material are laid down under computer control. These objects can be of almost any shape or geometry, and are produced from a 3D model or other electronic data source.
Basic principles
If the
1. 전진변성작용과 후퇴변성작용
변성작용은 크게 전진변성작용과 후퇴변성작용으로 구분할 수 있다. 전진변성작용이 일어날 경우, 암석은 STP(지표 온도와 압력조건)에서 떨어져 보다 높은 압력과 온도에 의한 영향을 받아 변성된다. 반면, 후퇴변성작용은 최고 변성도에 도달한 암석이 다시 STP상태
표면 거칠기의 정의 (1)
표면 거칠기(Surface roughness)는 가공 과정에서 필연적으로 발생하는 규칙적이거나 불규칙적인 요철을 말한다.
기계 부품이 요철이 없는 이상적인 표면을 갖도록 제작하는 것은 생산공학적으로 불가능하며, 필요 이상으로 표면을 매끄럽게 다듬는 것은 비경제적이다.
그러므
1980년대 말 미국 IBM은 기계적 제거가공과 화학적인 제거가공을 하나의 가공 방법으로 혼합한 CMP(Chemical Mechanical Polishing)라는 새로운 연마공정을 개발
CMP는 PECVD와 RIE 공정과 함께 submicron scale의 칩 제조에 있어서 반드시 필요한 공정
ILD(Interlayer Dielectric ; 층간절연막) CMP와 metal CMP는 디바이스 층의