PE CVD
PE CVD공정은 Plasma etching 이 사용되기 이전부터 반도체 금속배선의 보호막인 SiN과 SiO2를 저온에서 증착할 수 있는 새로운 생성원으로 소개
PE CVD기술은 SiO2와 SiN 박막 형성 뿐만 아니라 최근에는 천이금속이나 천이금속 실리사이드 형성에도 널리 사용
PE CVD의 박막 형성 mechanism
Plasma 에서 이
1. STI공정
Trench는 0.25㎛ 이후의 반도체 공정에서 Isolation 목적으로 만들어진 공정이다.
Design Rule마다 조금의 차이는 있지만 4000Å정도의 깊이로 Silicon Wafer를 Etch해서
소자들끼리 격리시키는 것, 이 공정을 STI(Shallow Trench Isolation)이라고 한다.
CVD(화학증착)는 Pack cementation , Thermal CVD, 플라즈마 CVD로 크
-화학 기상 증착법(CVD)
저압 화학 기상 증착 (Low Pressure CVD, LPCVD)
플라즈마 향상 화학 기상 증착 (Plasma Enhanced CVD, PECVD)
대기압 화학 기상 증착 (Atmospheric Pressure CVD, APCVD)
-물리 기상 증착법(PVD)
금속의 증기를 사용하는 증발(evaporation) 증착법
물질에 물리적인 충격을 주는 방법인 Sputtering 증착법
-At
플라즈마를 유지하고 그 밀도를 높혀주는 역할을 담당하게 된다. 즉 낮은 압력 및 기본 전압에서도 플라즈마 밀도를 높일 수 있고 sputtering 현상 자체를 수치묘사할 수 있는 정량적인 모델은 아직까지 명확하게 정립되어 있지 않다. 따라서 본 연구에서는 magnetron plasma 자체에 대한 수치해석에 주안점을
1.MEMS 및 ICS에 사용되는 식각공정을 분류하고 이에 대하여 장단점과 특성을 아는바 대로 기술하시오
MEMS 식각공정은 건식식각공정이 대표적이다.
건식식각기술은 용액 속에서 식각을 하지 않고 기체상태에서 용액 없이 식각을 진행 하는 방법으로 가스 식각, 스퍼터링효과 식각, RIE 식각으로 분류