실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재한다. 이들은 지각의 1/3정도를 구성하고 있어 지구상에서 매우 풍부하게 존재하고 있으며, 따라서 반도체 산업에 매우 저가의 가격으로 안정적으로 공급될 수 있는 재료이다. 또한 물질에 독성이 전혀 없어 환경적으로 매우 우수한 재료이기도 하다.
전자빔을 이용하여 박막을 형성하는 것이 E-Beam Evaporator이다. 그림5.는 E-beam장치의 구조도이다. 장치안의 필라멘트에 매우 높은 전압을 가하면 필라멘트에서 에너지를 가진 열전자들이 방출된다. 이 부분을 electron gun이라하고 여기에 의해 방출된 열전자들은 ingot 형태의 증착시키고자하는 재료(ingot feede
4. 실험방법
① Wafer준비
우리 조의 변수인 산화물(SiO2)의 두께인 5nm, 10nm, 15nm가 증착된 Si wafer를 준비한다.
유산지를 깔고 그 위에 wafer를 올린다음 각 두께별로 원판모양인 Si wafer에 텅스텐 칼을 이용하여 약간의 힘을 가하면서 잘라주어 1면적을 가지도록 만들어준다.
각 두께별로 표시를 해둔 페
MOS
P-type MOS란, 전하를 옮기는 캐리어로 정공(양의 전하를 가진 전자와 같은 거동을 하는 가상 입자, Hole)이 사용되는 MOS이다. 양의 전하를 가지는 정공이 캐리어로서 이동해서 전류가 생긴다. 즉, 정공이 다수 캐리어가 되는 MOS이다. 예시로 실리콘과 동일한 4가 원소의 진성 반도체에, 미량의 3가 원소
4.1 C-V 특성
그림 2 이상적 moscapacitor의 c-v그래프
이번 실험에서는 moscapacitor에 걸어준 전압 변화에 따른 커패시턴스 변화를 측정한다. 커패시턴스는 두 도체 사이에 저장되는 전하량을 의미하며 로 구할 수 있다. 이 식으로부터 실험변수인 산화막 두께 d 값이 5nm, 10nm, 15nm로 변함에 따라 전기용량
되고, 금속기판은 (+)전하를 띄게 되고, 경계면의 Si원자는 (-)charge를 띄게 된다. 이때 hole과 -전자들이 합쳐지고, 남은 소량의 전자들이 Vg가 커짐에 따라 Si과 Oxide의 경계면으로 이동한다. 이때 carrier가 hole에서 (-) charge로 바뀐다. 결국 반도체가 p형에서 n형으로 반전되는 것이므로 inversion이라 한다.
capacitor는 실험도중 어디선가 문제가 발생했음을 알 수 있다
반도체가 예측가능하고 믿을 만한 전기적 특성을 띄기 위해선 화학적 순도(purity)가 높고, 결정 구조가 완벽해야 한다. 즉, 아주 작은 불순물에 의해서 반도체의 성질이 매우 크게 변하기 때문에 대단히 높은 화학적 순도가 필요하다. 그리고
실험에서 사용한 thermal evaporator가 바로 이 증착법을 사용했으며, thermal evaporation은 이름 그대로 증착 할 금속 source를 전류를 흘려줄 판 위에 고정을 시켜놓고, 판에 전류를 흘려주면 저항에 의해서 열이 발생하게 되고, 이 열로 인해 금속이 증발을 하여 그 gas atom들이 위에 거꾸로 매달아놓은 시편 위로
재료이다.
PR 그림
Spinner 장치
Spinner라는 회전을 하는 장치 위에 웨이퍼를 올려놓고 웨이퍼위에 PR을 떨어뜨리는데 위에 약 2~200Å의 두께로 층을 형성하기 위해서는 약 3000rpm의 속도로 회전시키면서 떨어뜨린다.
광막증착에는 Positive와 Negative방식 등이 있는데 Negative Resist는 노출되
방법론적으로는 먼저 chamber내에 존재하던 전자들이 전기장에 의해 운동에너지를 얻어 + 전압이 걸린 쪽으로 이동을 하게 되면서 그 과정에서 주변에 있던 gas atom들과 충돌을 하게 되고, 충격을 받은 gas atom에서 다른 전자가 나오게 되면서 radical이나 양이온이 되는 것으로 간략하게 볼 수 있다. 이렇게