logarithm]
- 지수함수의 자연스런 확장
x = a의 y승 y = log a의 x승
ex) 81 = 3의 4승 4 = log 3 의 81승
- 밑수가 10인 대수
① 상용대수 (common) logarithm) : 밑수가 10인 대수. 관례로써 a의 상용대수인 log10a 대신 loga 로 사용한다.
② 자연대수(natural logarithm) : 밑수가 e를 가지는 대수.
e = 1 + 1/1! + 1/2! + 1/3! + ... = 2.71828
Logarithmic Mean Temperature Difference)
Δ T m은 열교환기에서 평균온도차를 표시하게 된다. 열교환기의 경우에 평균온도차는 대수평균온도차(Log mean temperature difference Δ T lm )로 표시하는 것이 가장 정확한 방법이다.
3)향류와 병류
4)열 교환기내 에너지 수지
q가 고온유체와 저온유체 사이의 총 열전달률
logarithmic phase(대수기)
최적의 영양조건에서 미생물들은 이분법을 통해 활발하게 번식을 한다.
따라서 미생물의 수는 기하급수적으로 증가하고 번식할 수 있는 최고의 세포수에 이를 때까지 분열을 지속한다. 이 과정에서 미생물의 수가 2배가 되는데 걸리는 시간을 알아낼 수 있는데 이를 generation time
질량 에 의한 영향을 고려하여 k를 계산하라.
( n = 7, d = 4.1mm, R = 38mm )
시간영역
4. 감쇠계수 c: 자유진동의 시간영역 Data에서 logarithmic decrement 를 구하여 감쇠율 와 감쇠계수 를 구한다. 원래는 변위 graph(가속도 data를 두 번 적분하여)에서 를 구해야 하는데 여기에서는 가속도 data를 가지고 구함.
I. Introduction
1. The significance of the Ricardian Model
The modern economic trade theory was originated from the advocator of ‘absolute advantage’, Adam Smith. According to the theory of ‘absolute advantage’, each country specializes in the product of its absolute advantage in productivity. The theory of ‘absolute advantage’ was accepted as intuitively correct during that time
○서론
◉ 실험목적 ◉
·분해 균주 실제공정 시스템에 넣기위해 균주의 특성을 조사한다.
·균주(1082, 1153)에 서로다른 질소원 조건을 주었을때 미생물의 성장을 알아본다.
◉ 실험이론 ◉
◉ 미생물의 생육곡선(growth curve)
생육곡선은 생물의 생장 현상을 나타낸 곡선. 생물의
실험일 :
실험 제목 : 미생물의 증식곡선 작성
실험 목적 :액체배지에 소량의 세균을 접종하여 시간에 따라 생균수 측정을 하여 그 경과를 그래프로 나타내어 보자.
실험 원리
1.미생물의 생장(growth):미생물 구성성분의 양적 증가와 구조 및 크기의 증가
-세포의 무게와 크기의 증가->세포분열->
생물반응기(bioreactor)
생물체에 대한 지식이 축적되어 감에 따라 이들 생물체를 인류에 유용한 방법으로 전환 조작시키려는 노력도 급증하고 있다. 한 생물체의 유전자를 다루기 쉽거나, 빨리 자라는 다른 생물체로 옮겨 발현시키는 유전자 조작기술의 발달은 이제 단순한 유전자 재조합차원을 떠나
☉ 실험 1 : 1자유도 진동계의 자유진동
☉ 실험 목적
스프링과 질량으로 구성된 간단한 1자유도 진동계의 자유진동을 Fourier Transform(FFT)한 주파수 분석 그래프를 통해 진동계의 고유 진동수를 알아보고 스프링 질량의 고려 유무에 따른 스프링상수k값을 구한다. 또한 가속도 데이터를 통해 감
○ PECVD
∙ What is PECVD?
⇒ Radio frequency(RF) is used to induce plasma in the deposition gas.
⇒ This results in a higher deposition rate at relatively low temperatures.
⇒ With the plasma enhanced CVD process is the deposition at temperature around 300℃ allows.
⇒ The temperature will be through encouragement of a plasma with high frequency electric fields triggered.