② Thermal Evaporator
각종 금속(Au, Al, Ti, Cr, In, Ni)과 유전체(SiO2)의 박 막을 기판 위에 증착할 수 있는 장비이다. 진공도는 Torr까지 얻을 수 있다. 박막증착시에는 박막 두께 측정 센서를 통해 박막의 두께를 확인하며 공정을 진행할 수 있다. 박막은 보통 0.5 Aring/sec ~ 1.0 Aring/sec의 증착 속도로 증착을 하
박막 계면에서의 발열, 유기박막 상호간의 확산 등을 들 수 있는데, 유리전이온도(Tg)가 높은 유기물을 사용해 소자의 열 안정성을 높이면 수명을 늘리는 데 도움이 될 수 있다. 또한 소자의 구동방법에 의해서도 수명 차이가 크게 나타난다.
PM 구동은 높은 peak brightness를 요구하므로 AM 구동에 비해 상
발광층
발광층을 형성하는 데 있어 대부분의 경우 host와 dopant를 동시에 증착하며 녹색과 적색의 경우 host로 Alq3을 사용한다. 녹색 형광은 Alq3에 MQD, Coumarine 등을 1% 정도 도핑하여 얻게 된다. Alq3 자체도 녹색 발광을 하지만 도핑을 통하여 2배 이상의 효율 증가를 이룰 수 있다.
DCJTB는 효율이 뛰어난 적
박막이나 계면의 연구에 필수적인 방법으로 coating과 박막의 두께, 부동태의 피막, 세라믹스, 반도체 분야의 연구에 사용된다.
준비실 : 도입실 / 측정실
도입실 : 표준물질의 증착, 오염된 고체 표면의 컷팅, 깊이 방향과 조성변화를 조사하기 위한 이온에칭, 온도변화에 대한 메커니즘 규명을 위한 온
, 가스조성비, 가스유량, 압력, 입력파워, 고 주파수, 전극 간격
PE CVD에 의한 박막특성
증착속도, 박막조성비, 밀도, 굴절률, 막 두께의 군일도, 응력, 표면 덮음 율(step coverage), etching속도 등
저온에서 CVD를 해야 하는 경우 PECVD를 쓴다
Al 위에 SiO2를 증착하는 경우
GaAs 위에 Si3N4를 증착하는 경우
이번 실험에서는 Source와 Drain을 만들지 못하고 Si위에 와 Pt를 올려서 만들었고 그림은 다음과 같이 볼 수 있으나 원리는 MOSFET와 같다고 볼 수 있다.
1) 산화공정(Oxidation)
열 산화법은 산화층 내부와 SiO2/Si 계면에 결함을 거의 생성시키지 않는 방법으로서 우수한 특성의 절연막을 형성시킬 수 있는
1) 산화공정(Oxidation)
열 산화법은 산화층 내부와 SiO2/Si 계면에 결함을 거의 생성시키지 않는 방법으로서 우수한 특성의 절연막을 형성시킬 수 있는 기술이다. 이 기술은 산화 반응에 사용되는 기체의 종류에 따라 건식 산화(dry oxidation)법과 습식 산화(wet oxidation)법으로 구분되는데, 반응기체로 순수한
Ⅰ. 개요
ABET(Accreditation Board for Engineering and Technology)는 미국의 공학 기술 교육인증원으로서 미국의 공학인 들에 의해서 자발적으로 결성된 조직으로 70년에 걸쳐 공학교육의 평가와 피드백을 통해서 미국의 공학 교육을 세계 최고 수준으로 만들어 놓았다.
ABET에서는 교육기관, 학과 또는 학위 차원
투과전자현미경은 주로 시료의 내부구조나 단면을 관찰하는데 쓰이고 있다. 원리는 광학현미경과 비슷하다. 전자현미경에서의 광원은 높은 진공 상태(1x10-4 이상)에서 고속으로 가속되는 전자선으로 이 전자선이 표본을 투과하여 형광판이나 사진필름에 초점을 맞추어 투사된다. 이 전자의 파장은 가
진공 packaging의 필요
잔류가스의 이온화로 발생한 양이온에 의한 tip emitter의 열화
emitter와 형광체 사이에 발생하는 방전에 의한 열화
이와 같은 열화 방지를 위해 degassing한 후에 고진공 유지
고진공 packaging 공정을 위한 이상적인 요건
진공도 10-6~10-7 torr 영역 유지
낮은 누설율
전면판과 배면판