이 실험은 Wetted Wall Column을 이용하여 물과 공기를 접촉시켜 그 농도차로부터 물질전달 계수를 계산하는 것이다. Wetted Wall Column은 물질전달이 일어나는 경계면이 뚜렷하며, 그 면적을 계산하기 쉽다는 점에서 물질전달 계수를 계산할 수 있는 명확한 방법이 된다. 물속에서 산소의 확산계수를 구함으로
1. 서론
강우시 발생하는 사면의 얕은 파괴는 지표로 침투하는 강우의 포화깊이에 의해 발생한다. 이번 연구에서는 불포화 지반의 특성을 파악하고, 강우시 불포화 사면의 포화깊이에 따른 안정성을 파악하기 위해 전형적으로 국내 지반을 형성하고 있는 화강풍화토(SW)에 점토 (CH) 함유량을 변화시
Flip Chip 공정이란 쉽게 말해서 반도체 칩을 제조하는 과정에서 웨이퍼의 Etching, Sputtering 등의 공정이 끝나면 테스트를 거치고 최종적으로 Packaging을 하게 된다. Packaging 이란 Outer lead(기판과 칩을 전기적으로 연결하는 외부단자)가 형성된 기판에 칩이 실장하고 플라스틱 몰딩을 하는 것을 말한다. 이 Outer
wet harvest and dry harvest is possible with some method. That is, we can fix the ratio with 70% of wet harvest regardless of the length of term (either in short-term or in long-term). Although wet harvest is more beneficial to farmers so every farmer will prefer water harvest to dry harvest, we can avoid the increase of ratio by giving some incentives to dry harvest. In this assumption, answer f
Wetting(습윤) : 기체/고체의 계면이 액체/고체의 계면으로 대체되는 것
σs : 기체/고체의 표면(계면)장력
σi : 액체/고체의 계면장력
A : 습윤장력(wetting tension)
A>0 이면 σs>σi 가 되고, 큰 계면장력을 가진 고체표면을 액체/고체계면이 덮게 되며 젖음 현상이 넓게 퍼짐
Static Contact An
Wet etching
SiO2
N-type
Si
N-type
SiO2
⦁SiO2 that does not have PR is removed by wet etching and also remaining PR is removed by acetone.
Source Drain Opening
○ SiO2 Deposition ( 100nm ) ○ PR(positive) Coating
SiO2
SiO2
N-type
Si
N-type
SiO2
⇒
PR
SiO2
SiO2
N-type
Si
N-type
Si
2. 이론
Pattern 공정을 하기 위해서는 주변의 청정도가 매우 중요한데, 아래 그림에서 보는 것과 같이 Clean room 에서 빛에 노출되지 않는 환경을 구비한 후 공정을 시작하여야 한다.
◦ Cleaning & Wet-Station 의 중요성
모든 반도체 공정은 오염물들의 근원이고 이는 소자의 성능과 수율에 직접적인
2. 이론
Pattern 공정을 하기 위해서는 주변의 청정도가 매우 중요한데, 아래 그림에서 보는 것과 같이 Clean room 에서 빛에 노출되지 않는 환경을 구비한 후 공정을 시작하여야 한다.
◦ Cleaning & Wet-Station 의 중요성
모든 반도체 공정은 오염물들의 근원이고 이는 소자의 성능과 수율에 직접적인
Wet-wrap Therapy)
유화제와 함께 국소 제제를 도포하고 젖은 면소재의 거즈 등으로 병변 부위를 밀폐하는 방법
으로 심한 아토피 피부염 병변에서 사용할 수 있다.
<아토피 피부염의 전신 치료>
1. 경구 항히스타민제
아토피 피부염에서 항히스타민제가 소양증을 완화시키는 것은 확실하지 않다. 아토