01 실험 목적
MOS Capacitor를 직접 제작해보고 공정을 이해
유전층의 종류(Al2O3, SIO2)에 따른 MOS Capacitor의 전기적 특성 분석
(중략)
04 결론
1. SiO2와 Al2O3의 Cmax 측정값과 예상값의 차이
-E-beam Evaporation 의 좋지 않은 박막 균일도
-실험상의 오류
2. 순방향과 역방향 Bias 에서의 C-V 커브 차이
-h
반도체소자로서 탄소족인 14번 원소이다. 자연에서는 단결정 형태로는 거의 존재하지 않으며 대부분 이산화규소나 규산염의 형태로 존재한다. 하지만 단결정 실리콘의 경우에는 반응성이 극히 작아 고온에서가 아니라면 거의 반응을 하지 않아 산소, 물, 수증기 등이 영향을 끼치지 않는다. 그 이유는
반도체)의 3중 구조를 말한다. Metal-Insulator-Semiconductor(금속-절연체-반도체) 구조 중에서 가장 널리 이용된다. 실제로는 실리콘 기판위에 SiO2 박막을 형성하고 그 위에 금속 전극을 배치한다. 이 구조를 접합구조로 한 MOS 다이오드, 전계효과 트랜지스터(FET)의 게이트에 사용한 MOSFET 등의 장치에 응용되고
1. 외부 양자 효율을 높일 수 있는 방법
1) 수직구조 발광다이오드를 사용한 양자 효율 증가 방법
2) 다공성 알루미나를 사용한 양자 효율 증가 방법
-알루미나를 이용한 OLED의 전기적 광학적 특성을 조사한 결과, 전기적 특성은 소자 내부의 구조가 같으므로 큰 차이가 없다는 것을 알았다. 그러
1. What is a thin film?
thin film(박막)이란?
박막은 나노미터에서 마이크로미터 두께까지의 범위를 포함하는 얇은 물질 층이라고 할 수 있다. 전자기적 반도체 장치와 광학적 코팅은 박막기술의 주된 적용 범위라 할 수 있다. 주변에서 쉽게 볼 수 있는 박막기술을 이용해 만든 것은 ‘거울’인데 이것은
반도체 Chip안에 집적화할 수 있게 되었다. 이 점을 활용해 DRAM, Computer, Display 등 많은 분야에서 비약적인 발전을 이루고 있다. 이런 인류의 발전의 시작은 바로 미국의 bell 연구소에서 이루어진 최초의 Ge를 이용한 Transistor의 발견이다. 현재는 Ge oxide의 불안정한 상태 때문에 Ge보다는 Si을 사용한 MOSFET이
반도체 표면은 p형으로 있으므로, 소스와 드레인 사이에 n+p n+구조로 전류가 거의 흐르지 않는다.
그러나 게이트가 충분히 큰 정(+) 전위로 되면 절연층이 용량의 역할을 하므로 p형 Si는 바로 아래에 전자(p형에서는 소수 캐리어)를 모아 표면이 n형으로 반전하므로 n+n n+으로 되어 도전성을 갖는다. 전도
의 종류(Au&Ti)와 전극크기를 변수로 두고 C-V특성과 I-V 특성을 측정하여 각각의 변수가 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.
2. 실험 배경
인류는 집적회로(Integrated circuit; IC)의 개발로 많은 수의 Transistor, Capacitor등이 한 개의 반도체 Chip안에 집적화할 수 있게 되었다. 이 점을 활용해 DRAM, Compu
E-beam Evaporator)
진공을 뽑아주는 이유
E-beam evaporator의 원리
NiCr 먼저 쌓고 다음에 Au쌓는 이유
negative oxide층이란?
실버페이스트의 경화조건
진동수 변화에 따른 C-Vgraph
: 수명에 따라 다양한 graph 존재
high frequency 인 경우 경향이 없다.
low frequency 인 경우 peak가 보인다.
두께 변화에
따른
반도체-산화물 계면의 변형된 일함수이다. 이상적인 MOS Capacitor에서는 =이다.
3.1.1.1. Substrate가 p-type Semiconductor 일 때
p - type 이란 최외각 전자가 4개 이하인 dopant를 반도체에 doping하여 정공(hole)이 많이 생겨 (+)전하를 띠고 있는 반도체를 말한다.
(그림 2) Si에 Doing 되어