공정과정의 종류를 변수로 놓고, 각 device별로 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 Capacitance와 Current에 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.
2. 실험이론
① MOSCapacitor
(a) MOSCapacitor의 구조
MOScapacitor의 구조
MOS는 Metal-Oxide-Semiconductor의 약자로, 금속 층과 반도체 물질로 되어 있는 두 개의
실험적인 데이터를 통해 계산한 후 실제 값과 비교하여 본다.
1-2 배경 이론
1-2-1 MOSCapacitor
그림 1.1 Capacitor
그림 1.2 MOScapacitorCapacitor(축전기)란 전기회로에서 전기용량을 지녀 전하를 축적시키는 소자를 지칭한다. MOSCapacitor란 Metal-Oxide-Semiconductor(금속-산화물-반도체)의 3중 구조를 말한
1. 실험목적
MOSCapacitor를 직접제작하며 공정을 이해하고, Dielectric 재료와 열처리 시간 변수에 따른 MOSCapacitor의 특성 및 구동원리를 이해한다.
2. 실험배경
인류는 집적회로(Integrated circuit; IC)의 개발로 많은 수의 Transistor, Capacitor등이 한 개의 반도체 Chip안에 집적화할 수 있게 되었다. 이 점을
1. 실험 목적
MOScapacitor를 직접제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 크기를 변수로 두고 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.
2. 실험 배경
1960년에 벨 연구소의 연구진은 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)을
1. 실 험 목 표
MOSCapacitor를 직접제작하여 원리 및 공정을 이해하고,
전극의 크기(1mm, 2mm, 3mm)에 따른 C-V, I-V값을 측정해 MOSCapacitor의 특성을 알아본다.
2. 실 험 배 경
현대사회의 Technology에서 반도체는 가장 중요한 부분이다. Memory, Display 등에 이용되며, 이는 모든 전자기기에 쓰이기 때문이다.
01 실험 목적
MOSCapacitor를 직접제작해보고 공정을 이해
유전층의 종류(Al2O3, SIO2)에 따른 MOSCapacitor의 전기적 특성 분석
(중략)
04 결론
1. SiO2와 Al2O3의 Cmax 측정값과 예상값의 차이
-E-beam Evaporation 의 좋지 않은 박막 균일도
-실험상의 오류
2. 순방향과 역방향 Bias 에서의 C-V 커브 차이
-h
MOSCapacitor의 C-V 및 I-V 그래프의 변화를 보기위하여 변수를 3가지 SiO₂ 두께(100nm, 200nm, 300nm)로 설정하였고, 통제 변인으로는 metal을 Ti로 정하였다.
3. 이론배경 (Theories)
3.1. Si 특성
그림1. 초크랄스키법으로 제작된 단결정
실리콘은 금속과 비금속의 특징을 모두 가지는 전형적은 반도체소자
MOS(metal-oxide-semiconductor) 트랜지스터라고 한다.
<그림 1> MOSFET
게이트에 전압을 인가하지 않을 때 반도체 표면은 p형으로 있으므로, 소스와 드레인 사이에 n+p n+구조로 전류가 거의 흐르지 않는다.
그러나 게이트가 충분히 큰 정(+) 전위로 되면 절연층이 용량의 역할을 하므로 p형 Si는 바로 아래에 전
반도체산업의 중심에 서있다. 이러한 MOSFET의 바탕이 되는 MOS를 이용한 capacitor 즉 MOScapacitor는 유전체로써 oxide를 사용하였기 때문에 붙여진 이름이며 이번 실험에서 제작할 소자이다. 전기신호의 증폭과 스위칭을 가능하게 한 Transistor의 기능에 가장 근본적인 원리를 설명하여 줄 수 있는 것이 MOS capacit
실험에 빗대어 설명을 하면 실리콘 Wafer를 E-beam evaporator 내부 상단의 chamber에 장착을 하고 도가니에 증착하고 싶은 물질, 예를 들어 powder를 올린다. 이때 물질의 상태는 solid상태여야 한다. 내부를 진공으로 만들어 준 뒤 E-beam gun을 물질에 쏘아서 증발시켜 실리콘 wafer에 증착을 시키는 것이 원리가 된다